眾所周知，雷軍曾表示過(guò)未來(lái)芯片會(huì)變成沙子價(jià)，原因就在于其實(shí)芯片由是沙子制作出來(lái)的，當(dāng)然這個(gè)過(guò)程很是復(fù)雜和有技術(shù)含量。

      那么問(wèn)題題就來(lái)了，沙子究竟是如何變成芯片的？再考慮到目前國(guó)內(nèi)在芯片領(lǐng)域比較落后，所以從沙子變成芯片的過(guò)程中，國(guó)內(nèi)的技術(shù)主要卡在哪些流程上面？

首先說(shuō)說(shuō)砂子是如何變成芯片的，這個(gè)過(guò)程具體有4步：

1、沙子的提純和處理

       制造芯片其實(shí)主要是硅，而沙子是硅的主要原料，所以步就是把沙子中的硅提純，要提純到99.9999999%，9個(gè)9的純度才能滿足芯片制造。

       而提純后的硅是一坨一坨的，稱為硅錠，這時(shí)候要把它變成硅棒，變成一根一根的原棒，再切割成一片一片的，形成硅晶圓片，再打磨光滑，那么沙子的提純和處理就搞完了，再也看不出是沙子了。

2、光刻和刻蝕

      這一部主要用于光刻機(jī)和刻蝕機(jī)，先把硅晶圓片放到燒爐，在表面形成一層均勻的氧化膜，然后再涂上光刻膠。用光刻機(jī)通過(guò)光罩把芯片設(shè)計(jì)電路圖投射到涂了光刻膠的硅晶圓上，形成了電路圖。

     再用刻蝕機(jī)把這個(gè)投射出的電路圖腐蝕掉了，露出硅基底，形成了電路的樣子。這時(shí)候硅晶圓上是坑坑洼洼的。

3、等離子注入、鍍銅

      接下來(lái)就是等離子注入了，把坑坑洼洼的電路圖注滿等離子，然后通過(guò)熱處理，將這些離子穩(wěn)定下來(lái)，這樣就形成了構(gòu)成芯片的所謂的幾十上百億的晶體管了。

      而晶體管是相互連接的，這時(shí)候要進(jìn)行鍍銅了，在硅晶圓片上均勻鍍上一層銅，然后再通過(guò)打磨、光刻、刻蝕等等步驟，把銅切割成一條一條的細(xì)線，連接好所有的晶體管，真正形成電路圖。

4、封裝、測(cè)試

       因?yàn)樾酒泻芏鄬与娐罚?-3步驟只是一層電路，所以整個(gè)2-3的步驟會(huì)重復(fù)很多遍，多少層就重復(fù)多少遍，成為加工好的硅晶圓片。

       加工好之后就是切割成一塊一塊的，再進(jìn)行測(cè)試、封裝，就成為了一塊可安裝到設(shè)備中的芯片了。

       以上就是芯片的簡(jiǎn)單的制作過(guò)程，當(dāng)然具體的過(guò)程會(huì)復(fù)雜麻煩的很多，但原理基本上就是如此了。而國(guó)內(nèi)芯片水平落后，主要體現(xiàn)在1、2、3這三個(gè)環(huán)節(jié)，第4個(gè)環(huán)節(jié)是較為的。

       第1個(gè)環(huán)節(jié)卡在提純上面，要提純到9個(gè)9，國(guó)內(nèi)水平不太夠，產(chǎn)能非常有限，主要靠從日本進(jìn)口9個(gè)9的硅。

       第2個(gè)環(huán)節(jié)卡在光刻機(jī)上面，卡在技術(shù)上面，一是國(guó)內(nèi)的光刻機(jī)水平不太夠，只能用于90nm的芯片制造，ASML的可用于5nm，二是技術(shù)上面，國(guó)內(nèi)還搞定不了高工藝的芯片。而第3個(gè)環(huán)節(jié)也主要是光刻這個(gè)過(guò)程，國(guó)內(nèi)設(shè)備不行，需要用到國(guó)外的設(shè)備。